王阳培华，男，博士(后)，硕士生导师。2014年毕业于上海交通大学获电子科学与技术工学博士学位。2014年9月至2015年3月在昆山三星电机有限公司光刻技术部任工程师，2015年4月至2020年12月任教于成都信息工程大学光电工程学院，2017年7月至2021年7月在电子科技大学熊杰教授实验室从事博士后科研工作，自2020年12月至今，任教于沙巴足球（中国）股份有限公司官网信息与通信学院。长期致力于微电子器件与工艺，X射线探测与成像，硅基光电集成与制造的研究及成果转化，国家自然科学基金和多个国际期刊评审专家。主持国家及省部级的科研项目4项，参与863计划1项。迄今发表SCI论文50余篇，总引用次数约1500次，其中以第一/通讯作者在Adv. Funct. Mater., Adv. Opt. Mater., IEEE Electron Device Lett.等期刊发表论文15篇。

●2017/07–2021/07电子科技大学 博士后 ●2010/09–2014/07上海交通大学 博士 ●2008/09–2010/07东北大学 硕士 ●2004/09–2008/07黑龙江大学 本科

●2020/12 –至今 沙巴足球（中国）股份有限公司官网 ●2015/03 –2020/12 成都信息工程大学 ●2014/09 –2015/03 昆山三星电机有限公司

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承担《半导体物理》、《固体物理》、《微电子概论》、《集成电路工艺原理》等教学课程。

[1].Zuo Wang, Wanyu Zang, Yeming Shi, Xingyu Zhu, Gaofeng Rao, Yang Wang, Junwei Chu, Chuanhui Gong, Xiuying Gao, Hui Sun, Sibo Huanglong, Dingyu Yang, Peihua Wangyang*. Extraction and Analysis of the Characteristic Parameters in Back-to-Back Connected Asymmetric Schottky Diode. Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2020, 217 (8): 1901018. SCI, IF= 1.606, JCR: 3 区，(通讯作者) [2]. Zongyan Gou#, Sibo Huanglong#, Wenjun Ke, Hui Sun, Haibo Tian, Xiuying Gao, Xinghua Zhu*, Dingyu Yang, and Peihua Wangyang*. Self-Powered X-Ray Detector Based on All-Inorganic Perovskite Thick Film with High Sensitivity Under Low Dose Rate. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2019, 13 (8): 1900094. SCI, IF=3.721, JCR: 2 区， (通讯作者) [3]. Zongyan Gou#, Wenyi Liu#, Sibo Huanglong, Xinghua Zhu, Hui Sun, Dingyu Yang, and Peihua Wangyang*. Self-Powered X-Ray Photodetector Based on Ultrathin PbI2 Single Crystal. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (4): 578-581. SCI, IF= 3.433, JCR: 2 区 (通讯作者) [4]. Gaofeng Rao#, Xuepeng Wang#, Yang Wang#, Peihua Wangyang*, Chaoyi Yan, Junwei Chu*, Lanxin Xue, Chuanhui Gong, Jianwen Huang, Jie Xiong* and Yanrong Li.Two-dimensional heterostructure promoted infrared photodetection devices. InfoMat, 2019, 1 (3): 272-288. JCR: 2 区，(通讯作者) [5]. Peihua Wangyang#, Chuanhui Gong#, Gaofeng Rao#, Kai Hu, Xuepeng Wang, Chaoyi Yan, Liping Dai, Chunyang Wu, and Jie Xiong*. Recent Advances in Halide Perovskite Photodetectors Based on Different Dimensional Materials. Advanced Optical Materials, 2018, 6 (11): 1701302. SCI, IF=7.430, JCR: 1 区，(第一作者) [6]. Chaoyi Yan#, Chuanhui Gong#, Peihua Wangyang#, Junwei Chu, Kai Hu, Chaobo Li*, Xuepeng Wang, Xinchuan Du, Tianyou Zhai*, Yanrong Li, and Jie Xiong*. 2D Group IVB Transition Metal Dichalcogenides. Advanced Functional Materials, 2018, 28 (39): 1803305. SCI, IF=13.320, JCR: 1 区，(共同第一) [7]. Peihua Wangyang, Hui Sun, Xinghua Zhu*, Dingyu Yang, Xiuying Gao, Wenyi Liu, Yan Chen, Haibo Tian, and Sibo Huanglong. Solution-Processable Methyl Ammonium Lead Iodide Single Crystal Photodetectors for Visible Light and X-Ray. Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2017, 214 (11): 1700538. SCI, IF= 1.795, JCR: 3 区， (第一作者) [8] Peihua Wangyang*, Hui Sun, Xinghua Zhu, Dingyu Yang, Xiuying Gao, Mechanical exfoliation and Raman spectra of ultrathin PbI2 single crystal, Materials Letters, 2016, 168: 68~71. SCI, IF= 2.687, JCR: 2 区， (第一作者) [9] Xinghua Zhu, Peihua Wangyang*, Hui Sun, Dingyu Yang, Xiuying Gao, Haibo Tian, Facile growth and characterization of freestanding single crystal PbI2 film, Materials Letters, 2016, 180: 59~62. SCI, IF= 2.687, JCR: 2 区，(通讯作者) [10] Peihua Wangyang, Yanchang Gan, Qinkang Wang and Xuesong Jiang, A Hybrid resist hemispherical-pit array layer for light trapping in thin film silicon solar cells via UV nanoimprint lithography, Journal of Materials Chemistry C, 2014, 2 (30): 6140-6147. SCI, IF= 5.976, JCR: 1 区 (第一作者)

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(1)国家自然科学青年基金项目，51802032，MAPbIxBr3-x:PbS量子点的陷阱密度调控及 X 射线探测研究，2019/01-2021/12，26万元，在研，主持； (2)国家自然科学面上项目，62174041，硅基高迁移率InGaAs沟道叠层栅mosfet器件及可靠性研究，2022/01-2025/12，57万元，在研，参与； (3)广西科技计划项目，AD21220150, 有机无机钙钛矿的表面钝化及对钙钛矿厚膜X射线探测器性能影响研究，2021/12-2024/11，20万元，在研，主持； (4)中国博士后科学基金，2018M643443，基于MAPbIxBr3-x膜材料的自驱动X射线探测器研究，2018/11-2019/11，5万元，已结题，主持； (5)四川省科技厅应用基础项目，2017JY0320，二维碘化铅纳米材料及其光电探测器研究，2017/03-2019/03, 10万元，已结题，主持； (6)科技部863课题，2011AA050518，基于纳米光学的超高效陷光结构硅薄膜太阳能电池技术研究，2011/01-2014/12，268万，已结题，参与

(1) 王庆康; 王阳培华; 甘延长; 沈向前; 姜学松; 基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法, 2014-8-6, 中国, CN201310039892.1 (专利) (2) 王阳培华; 朱兴华; 杨定宇; 孙辉; 高秀英; 田海波; 勾宗燕; 基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器及制备方法, 2018-7-18, 中国, CN201810789506.3 (专利) (3) 王阳培华; 朱兴华; 杨定宇; 孙辉; 高秀英; 田海波; 勾宗燕; 基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器, 2018-7-18, 中国, ZL201821137404.5 (专利) (4) 刘欣; 王阳培华; 杨定宇; 张翠娴; 钙钛矿光伏器件及其制造方法, 2020-3-13, 中国, CN202010176576.9 (专利) (5) 刘欣; 王阳培华; 杨定宇; 张翠娴; 钙钛矿光伏电池器件及其制造方法, 2020-3-13, 中国, CN202010177594.9 (专利)

E-mail：wangyangpeihua@guet.edu.cn