【科教在线】第58期：信息与通信学院微电子器件与集成技术团队在工程学科领域TOP期刊发表高水平论文（图）

【编者按】为了更好地营造校园学术氛围，传播我校学术科研动态，学校在校园网开辟“科技前沿”专栏，定期总结、回顾学校师生取得的科研成果。欢迎广大师生及时把自己的学术科研成果以邮件的形式告诉我们，我们希望获得您以下成果信息：为政府、企业、媒体进行了专业咨询；科技成果通过了相关鉴定；科技成果落地、实现产业化；发表了高水平的学术论文；获得了专利授权；出版、编著了专著、教材；获得了科技奖励；在重要学术会议上进行了发言……

我们愿意为有学术追求的师生搭建一个交流的平台，希望在师生的努力下，学校的学术氛围日益浓厚，让我们为实现电子信息特色鲜明的高水平大学而奋斗。投稿请通过所在单位，经学校OA系统审核发布。

近日，在广西精密导航技术与应用重点实验室支持下，我校信息与通信学院微电子器件与集成技术团队王阳培华博士等，联合澳大利亚昆士兰科技大学(Queensland University of Technology)陈志刚教授等，在国际顶级期刊Journal of Materials Science & Technology（影响因子：11.2，中科院一区Top）发表题为“Advances in Schottky parameter extraction and application”的论文。王阳培华、黄潇林、史晓磊为论文共同第一作者，孙堂友、彭英、陈志刚教授为论文共同通讯作者，其中我校为论文第一完成单位。

微电子器件与集成技术团队前期基于热电子发射模型，提出了一种新的普适性筛选特征区间提取肖特基参数的方法，并通过相关对比检验，证实了该方法的可靠性(1.A Universal Extraction Method for Physical Parameters Applied for J-V Curves of Solar Cells; 2.Extraction and Analysis of the Characteristic Parameters in Back-to-Back Connected Asymmetric Schottky Diode)。以上系列论文的发表极大地提高了我校在电子信息学科-肖特基光电器件开发及其应用领域的国际影响力。

肖特基接触被发现以来，引起了电子设备行业和研究人员的广泛关注，并被广泛应用于场效应晶体管、光电探测器、太阳能电池、电阻开关存储器等，如图1所示。但是，肖特基触点是如何影响器件性能的呢?答案就在肖特基参数中。基于此，论文重点从电流-电压曲线中提取肖特基参数，即肖特基势垒高度、理想因数和串联电阻，以理解和分析肖特基器件的特性。论文介绍了该领域的研究进展和肖特基接触的原理；对一些经典和广泛使用的提取方法以及最新的提取方法进行了深入研究，并根据其应用进行了评价；列举了提取的各种方法以证明肖特基参数分析的必要性和重要性；结合近年来的研究进展，对今后的研究进行了展望及全面总结。该研究旨在解析精准的肖特基参数提取的重要价值，为开发基于肖特基接触的高性能光电器件提供重要思路与借鉴。

图一

图二

文章在线发表详见链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1005030224008727#coi0001